MEMS-Drucksensor-Dies
Die piezoresistiven lnsenso Druckmessdüsen (IPD) sind für eine Vielzahl von Anwendungen konzipiert und spezialisiert. In 5 Produktlinien werden Design, Material und Produktionsprozess für die verschiedenen Zielanwendungen optimiert.
Dies reicht von hochpräzisen Anwendungen mit einer ausgezeichneten Langzeitstabilität bis hin zu sehr robusten Anwendungen, kosteneffizienten Mobilitätsanwendungen und Dehnungsmessstreifen.
DESIGN UND PROZESS-IP FÜR HALBLEITERPROZESSE
– Schichtabscheidung
– Implantation
– Glühen/Diffusion
– Metallisierung
– Sensordesign
– Teststrukturen
MEMS-VERFAHREN
– Ätzen von Membranen
– Anodisches Bonden oder direktes Bonden von Silizium
– Dicing
IPD10
Hochpräzise Technologie
Druckbereich: 40 mbar – 400 bar
Brückenwiderstand: 6.3 kOhm
TCR 0.09 %/K
TCS -0.20 %FSS/K
- Hohe Langzeitstabilität
- Geringer Stromverbrauch
- Siliziumeinschränkungsoption für Differenzdruck Anwendung
Layout
Optionen für Backplate
IPD25
Dehnungsmessstreifen-Technologie
Druckbereich: Kundenspezifisch
Brückenwiderstand: 5,5 kOhm *
TCR 0,28 %/K
TCS -0,20 %FSS/K
* Der Brückenwiderstand wird auf Wafer-Ebene gemessen. Ändern Sie die
Verpackung, kann der Stress den Widerstandswert der Brücke
beeinflussen.
- Hohe Empfindlichkeit im Vergleich zu
klassischen Dehnungsmessstreifen - Vorteile im Vergleich zu
Wettbewerbern durch implantierte
Widerstände, elektrische Abschirmung und sekundäre Passivierung
Layout
Querschnitt
IPD35
Mobilitätstechnologie
Druckbereich: 1 bar – 25 bar
Brückenwiderstand: 5,5 kOhm
TCR 0,31 %/K
TCS -0,20 %FSS/K
- Entwickelt für Anwendungen in der Automobilindustrie
- Sekundäre Passivierung
- Entwickelt für bis zu 150°C
Layout
Optionen für Backplate
IPD4X
Sehr robuste Technologie
IPD40
Druckbereich: 100 mbar-600 bar
Brückenwiderstand: 5,5 kOhm
TCR 0,31 %/K
TCS -0,20 %FSS/K
IPD41
Druckbereich: 100 mbar-600 bar
Brückenwiderstand: 3,6 kOhm
TCR 0,24%/K
TCS -0,20 %FSS/K
IPD42
Druckbereich: 100 mbar-600 bar
Brückenwiderstand: 3,6 kOhm
TCR 0,31 %/K
TCS -0,20 %FSS/K
- Entwickelt für Robustheit
- Vereinfachte passive
Kompensation durch mehr
lineare TCS (bei konstantem
Strommodus) - Unterschiedliche Glasstärken zur Erfüllung anspruchsvoller Anforderungen an das Packaging
Layout
Optionen für Backplate
IPD53
Absoluter Drucksensor
Druckbereich: 6 bar
Brückenwiderstand: 4,7 kOhm
TCR 0,26 %/K
TCS -0,19 %FSS/K
• Sekundärpassivierung für erhöhte Robustheit
• Hohe Zuverlässigkeit
• Geringe Druckhysterese
• Schnelle Reaktionszeit
• Hochohmige Messbrücke
• Druckproportionales Ausgangssignal
• Sehr kosteneffizient durch besonders kompakte Baugröße
Layout
Querschnitt
IPD53
Absoluter Drucksensor
Druckbereich: 250 mbar … 600 bar
Brückenwiderstand: 3.3 kOhm
TCR 0.15 %/K
TCS -0.12%FSS/K
- Für hohe Robustheit entwickelt
- Hohe Langzeitstabilität
- TCR und TCS kompensieren sich gegenseitig und reduzieren dadurch die Temperaturabhängigkeit
Layout
Querschnitt
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