MEMS-Drucksensor-Dies
Die piezoresistiven lnsenso Druckmessdüsen (IPD) sind für eine Vielzahl von Anwendungen konzipiert und spezialisiert. In 5 Produktlinien werden Design, Material und Produktionsprozess für die verschiedenen Zielanwendungen optimiert.
Dies reicht von hochpräzisen Anwendungen mit einer ausgezeichneten Langzeitstabilität bis hin zu sehr robusten Anwendungen, kosteneffizienten Mobilitätsanwendungen und Dehnungsmessstreifen.
DESIGN UND PROZESS-IP FÜR HALBLEITERPROZESSE
– Schichtabscheidung
– Implantation
– Glühen/Diffusion
– Metallisierung
– Sensordesign
– Teststrukturen
MEMS-VERFAHREN
– Ätzen von Membranen
– Anodisches Bonden oder direktes Bonden von Silizium
– Dicing
IPD 10
Hochpräzise Technologie
Brückenwiderstand: 6.3 kO
TCR 0.09 %/K
TCS -0.20 %FSS/K
– Hohe Langzeitstabilität
– Geringer Stromverbrauch
– Siliziumeinschränkungsoption
für Differenzdruck
Anwendung
Layout
Optionen für Backplate
IPD 25
Dehnungsmessstreifen-Technologie
Druckbereich: Kundenspezifisch
Brückenwiderstand: 5,5 kO *
TCR 0,28 %/K
TCS -0,20 %FSS/K
* Der Brückenwiderstand wird auf Wafer-Ebene gemessen. Ändern Sie die
Verpackung, kann der Stress den Widerstandswert der Brücke
beeinflussen.
klassischen Dehnungsmessstreifen
– Vorteile im Vergleich zu
Wettbewerbern durch implantierte
Widerstände. elektrische Abschirmung
und sekundäre Passivierung
Layout
Querschnitt
IPD 35
Mobilitätstechnologie
Brückenwiderstand: 5,5 kO
TCR 0,31 %/K
TCS -0,20 %FSS/K
– Sekundäre Passivierung
– Entwickelt für bis zu 150°C
Layout
Optionen für Backplate
IPD 4X
Sehr robuste Technologie
IPD40
Druckbereich: 100 mbar-600 bar
Brückenwiderstand: 5,5 kO
TCR 0,31 %/K
TCS -0,20 %FSS/K
IPD41
Druckbereich: 100 mbar-600 bar
Brückenwiderstand: 3,6 kO
TCR 0,24%/K
TCS -0,20 %FSS/K
IPD42
Druckbereich: 100 mbar-600 bar
Brückenwiderstand: 3,6 kO
TCR 0,31 %/K
TCS -0,20 %FSS/K
– Entwickelt für Robustheit
– Vereinfachte passive
Kompensation durch mehr
lineare TCS (bei konstantem
Strommodus)
– Verschiedene Glasdicken
zur Anpassung
der Verpackungsanforderungen
Layout
Optionen für Backplate
IPD 53
Absoluter Drucksensor
Druckbereich: 6 bar
Brückenwiderstand: 4,7 kO
TCR 0,26 %/K
TCS -0,19 %FSS/K
– Sekundäre Passivierung für
– Hohe Zuverlässigkeit
– Geringe Druckhysterese
– Schnelles Ansprechverhalten
– Hochohmige Brücke
– Druckproportionales
Ausgangssignal
– Sehr kosteneffizient durch
kleinste Größe
Layout
Querschnitt
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